新品推介 | 宏微科技推出1700V IGBT產(chǎn)品,廣泛應用于高壓變頻、SVG、儲能等領(lǐng)域
應用場(chǎng)景介紹
級聯(lián)型H橋拓撲結構簡(jiǎn)單,擴展靈活,目前已經(jīng)在高壓級聯(lián)型變頻器、靜止無(wú)功發(fā)生器SVG和級聯(lián)H橋型儲能系統中獲得了廣泛應用。
在工業(yè)應用中,電機作為風(fēng)機、泵、壓縮機、皮帶機、破碎機等各種機械設備的驅動(dòng)裝置,其耗電量巨大。采用級聯(lián)型變頻器與生產(chǎn)工藝相結合,可以顯著(zhù)地降低電機能耗。
儲能系統中,高壓級聯(lián)技術(shù)通過(guò)多個(gè)儲能單元構成一套大功率、大電流儲能系統,省去變壓器環(huán)節直接接入電網(wǎng),因此具有較高的循環(huán)效率,減少土地占用,并且避免傳統方式下電池模組之間荷電狀態(tài)不均衡的問(wèn)題,減小長(cháng)時(shí)間運行后的有效容量衰減。
SVG主要應用于提升電網(wǎng)的輸電容量及穩定暫態(tài)電壓,也可實(shí)現輸配電網(wǎng)、風(fēng)電和光伏電站無(wú)功調壓,礦山、石化、煤礦、等行業(yè)的功率因數控制、母線(xiàn)電壓閃變抑制及補償不平衡負荷、濾除負荷諧波電流,達到提高電能質(zhì)量,節約用電的目的。針對以上兩種應用,宏微科技推出75A-450A不同電流等級的半橋模塊和75A-150A的H橋一體化模塊。通過(guò)每相采用單個(gè)或兩個(gè)及以上半橋模塊并聯(lián),基本可以覆蓋3kV-10kV高壓變頻器的中小功率范圍和一部分大功率范圍、3kV-35kV級聯(lián)儲能系統的中等容量范圍、3kV-35kV SVG的中等容量范圍。同時(shí)針對小功率段的高壓變頻器,使用H橋一體化模塊,可以減少模塊使用數量,大幅削減鏈節體積,降低結構成本。1、常高溫下FRD壓降更低,熱阻更??;IGBT壓降與競品接近,但熱阻更小,從而使得整體發(fā)熱更小。2、常高溫下,相同速度開(kāi)關(guān)損耗更小,尖峰更低,寄生電感更小。3、150℃,VGE=15V,Vcc=1000V條件下短路能力≥10us。
4、通過(guò)HV-H3TRB和硫化等高可靠性試驗
以MMG100W170HX6TC一體化模塊為例
以往高壓變頻器應用為了搭建H橋拓撲,需要用2個(gè)“半橋的IGBT模塊”和1個(gè)“整流二極管模塊”來(lái)進(jìn)行組合構建,總計使用3個(gè)功率模塊。使用宏微MMG100W170HX6TC一體化模塊,只用1個(gè)模塊即可完成3個(gè)模塊的工作,同時(shí)還內置了NTC熱敏電阻,以輔助我們在實(shí)際工作中進(jìn)行溫度監控。與原先方案對比,可實(shí)現的功能只多不少,而且1個(gè)一體化 IGBT模塊構成高壓變頻器的1個(gè)單元,使系統級聯(lián)設計變得更容易。
如果運行條件完全相同,使用一體化新產(chǎn)品可以大幅削減鏈節體積,從而縮小整機體積,降低結構成本,優(yōu)化電氣特性。
宏微科技此次推出的1700V一系列產(chǎn)品,不僅在芯片性能上進(jìn)行了改進(jìn),還在封裝形式上進(jìn)行創(chuàng )新,有效地降低了功耗,提升了效率;還具有更出色的可靠性能力,HV-H3TRB、防硫化等使其在實(shí)際應用中表現更加優(yōu)秀。
我們相信,1700V這一系列的IGBT模塊將為工控、變頻、電能改善等領(lǐng)域的應用帶來(lái)更高的性能和可靠性,同時(shí)也將為行業(yè)發(fā)展帶來(lái)更多的創(chuàng )新和進(jìn)步。