宏微“高壓大電流NPT-IGBT和FRED芯片”達到世界先進(jìn)水平

具有自主知識產(chǎn)權的“非穿透型高壓大電流絕緣柵雙極晶體管（NPT-IGBT）芯片系列產(chǎn)品”和“高壓大電流外延型超快軟恢復二極管（FRED）芯片系列產(chǎn)品”項目2011年10月25日在常州通過(guò)來(lái)自中國電器工業(yè)協(xié)會(huì )電力電子分會(huì )、國家電力電子產(chǎn)品質(zhì)量監督檢驗中心、中科院半導體所、清華大學(xué)、浙江大學(xué)、電子科技大學(xué)、北京工業(yè)大學(xué)和西安工程大學(xué)等部門(mén)的專(zhuān)家鑒定；部分重點(diǎn)用戶(hù)代表也參加了本次鑒定會(huì )。與會(huì )專(zhuān)家一致認為：“75A-100A/1200V-1700V NPT-IGBT芯片”達到國際同類(lèi)產(chǎn)品的先進(jìn)水平，其中1200V產(chǎn)品的部分主要性能指標超過(guò)國際同類(lèi)產(chǎn)品的先進(jìn)水平；“2A-200A/200V-1200V超快軟恢復外延型二極管芯片”性能指標達到國際同類(lèi)產(chǎn)品的先進(jìn)水平。產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現規?；a(chǎn)，市場(chǎng)反映良好，已經(jīng)批量替代進(jìn)口產(chǎn)品。

具有國際先進(jìn)水平的國產(chǎn)宏微系列非穿透型高壓大電流電力半導體NPT-IGBT和FRED芯片的研制成功，將我國IGBT和FRED的研發(fā)和生產(chǎn)水平提高到了一個(gè)新的高度，是我國在IGBT 和FRED芯片產(chǎn)業(yè)化方面邁出的重要一步。產(chǎn)品可廣泛應用于國防、民用工業(yè)，醫學(xué)、交通及新能源、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。大大減少了我國電力電子系統與裝置對國外產(chǎn)品的依賴(lài)性。減少系統與裝置的成本，增加產(chǎn)品在國內外市場(chǎng)的競爭性。有助于電力電子產(chǎn)品這一綠色節能器件在我國不同行業(yè)、不同區域的推廣應用。有助于推動(dòng)我國傳統產(chǎn)業(yè)的更新?lián)Q代和減少工業(yè)污染，提高電能和其它資源的使用效率。